Os principais fabricantes de memória estão buscando expandir suas capacidades de produção para atender à crescente demanda do setor por chips. A SK hynix almeja ainda mais, planejando melhorias significativas para cargas de trabalho de IA executadas em dispositivos móveis e outros dispositivos de borda.
Segundo diversas fontes coreanas, a SK hynix está desenvolvendo um novo tipo de memória para computadores com o objetivo de acelerar cargas de trabalho locais. A memória de armazenamento de alta largura de banda expande a tecnologia Flash de alta largura de banda introduzida anteriormente , combinando componentes de DRAM móvel e Flash NAND em dispositivos para computação portátil.
Segundo fontes, o HBS foi projetado especificamente para oferecer maior desempenho em cargas de trabalho de IA em smartphones, tablets e outros dispositivos móveis. Os novos chips podem empilhar até 16 camadas de memória DRAM e NAND, interconectadas por meio de elementos de distribuição de fios verticais.
A SK hynix implementou pela primeira vez produtos DRAM baseados em VFO com o Apple Vision Pro, mas a tecnologia HBS adiciona complexidade ao integrar também chips de memória flash NAND. A fabricante coreana de memórias apresentou a tecnologia VFO em 2023, observando que a tecnologia de encapsulamento melhoraria significativamente a eficiência, a dissipação de calor e a miniaturização dos chips.
A ideia principal por trás do VFO é que as camadas do chip são conectadas por fios verticais em vez de curvos. Comparado com as soluções de cabeamento convencionais, o design de fan-out de fios verticais reduz o espaço necessário para a transferência de elétrons entre as camadas em 4,6 vezes. Consequentemente, a SK hynix relata que a eficiência energética melhora em 4,9%, a dissipação de calor em 1,4% e a embalagem é 27% mais fina do que os chips tradicionais.
Diferentemente da tecnologia HBF que a SK hynix está desenvolvendo com a SanDisk, a HBS não requer conexões através do silício. Isso deve resultar em maiores rendimentos de fabricação e menores custos de produção, promovendo uma adoção mais ampla em toda a indústria de semicondutores.
Segundo fontes, espera-se que o novo design empilhado de DRAM+NAND seja integrado diretamente ao processador de aplicativos do dispositivo. A memória HBS provavelmente tem como objetivo acelerar o processamento de dados em smartphones e outros dispositivos baseados em SoC.
A SK hynix desenvolveu o HBS especificamente para melhorar o desempenho de cargas de trabalho de IA em dispositivos móveis, embora seu desempenho real ainda precise ser comprovado. A tecnologia está prevista para ser lançada oficialmente entre 2029 e 2031. Enquanto isso, a empresa já enfrenta dificuldades para atender à demanda dos clientes por novos chips em 2026.
Fonte: www.techspot.com
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